氮化镓自支撑晶片 2英寸GaN衬底晶片

苏州恒迈瑞材料科技作为氮化镓晶片（GaN氮化镓衬底片）的专业生产厂家，可提供2英寸氮化镓自支撑衬底晶片，导电类型主要分为N型非掺杂，N型硅掺杂以及半绝缘型铁掺杂。GaN自支撑衬底片TTV≤15um，BOW:≤20um，包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。氮化镓材料和碳化硅材料是电力电子应用中最先进的宽禁带技术，电力电子应用氮化镓材料具有一个更大的带隙，可以进一步提高功率器件性能。

2英寸自支撑氮化镓衬底晶片规格


GaN氮化镓材料之所以能在功率电子器件领域得到广泛的应用，主要是因为GaN氮化镓材料所拥有的两个重要特性：禁带宽度大（3.4eV），临界击穿场强高（3 MV/cm）。GaN氮化镓材料大的禁带宽度，使得其制备的功率器件可以在没有复杂设计的散热装置的辅助下正常工作，这样可以大幅降低电力电子设备的体积和成本。又因为击穿电场强度与能带的平方成正相关，GaN氮化镓材料的击穿电压理论上可达到大于3 MV/cm的水平，远大于Si和GaAs。此外，GaN材料同时还拥有非常卓越的电子传输特性，其中包括更高的迁移率，更大的饱和漂移速度。这些使其非常适合用于制作功率电子器件。