氮化镓自支撑衬底片 4英寸GaN氮化镓晶片

苏州恒迈瑞材料科技作为氮化镓GaN晶片（GaN氮化镓衬底晶片）的专业生产厂家，可提供4英寸氮化镓自支撑晶圆片，导电类型主要分为N型非掺杂，N型硅掺杂。GaN自支撑衬底片TTV≤40um，BOW:≤80um，包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。作为第三代半导体材料的GaN氮化镓优势凸显，由于禁带宽度大、导热率高，GaN材料制作的器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；其较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利于提升器件整体的能效；且电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

4英寸氮化镓自支撑晶片
尺寸：4 inch 100mm±1mm
氮化镓自支撑衬底厚度：400um
晶向：C-plane(0001) M Axis 0.4°±0.2°
掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂
TTV: ≤40um BOW:≤80um
包装：晶圆盒或cassette盒

 
 

4英寸自支撑氮化镓衬底晶片规格


在激光器方面，GaN氮化镓基激光器可以覆盖到很宽的频谱范围，实现蓝、绿、紫外激光器和紫外探测的制造。紫色激光器可用于制造大容量光盘，其数据存储盘空间比蓝光光盘高出20倍。除此之外，紫色激光器还可用于医疗消毒、荧光激励光源等应用；蓝色激光器可以和现有的红色激光器、倍频全固化绿色激光器一起，实现全真彩显示，使激光电视实现广泛应用；GaN基紫外探测器可用于卫星秘密通信、各种环境监测、化学生物探测等领域。