硅基氮化镓外延片-D-Mode耗尽型

Homray Material Technology作为硅基氮化镓外延片D-Mode耗尽型生产厂家，可生产供应4英寸至8英寸硅基氮化镓外延片（GaN-On-Si），产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电，出色的外延生长技术和良好的品质管控能力确保了外延材料批量化生产的均匀性和一致性。氮化镓外延晶片可广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天、汽车、计算机、平板电脑、智能手机、家电等领域。

GaN氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新一代半导体材料。具有宽禁带、强原子键、高热导率、化学稳定性好和强抗辐照等性质，在光电子、功率器件和高频微波器件应用有着广阔的前景。

氮化镓比起硅的优势


氮化镓作为第三代半导体材料，具有远优于第一、二代半导体的禁带宽度、导通电阻、热导率。氮化镓的禁带宽度是硅的3倍、亦高于碳化硅；击穿电场为硅的10倍、较硅可耐受更高电压；因此，同样额定电压的氮化镓开关功率器件的导通电阻几乎比硅器件低3个数量级，大大降低了开关的导通损耗；同时，氮化镓是少见的同时具备高电子迁移率（1,250 cm2/Vs）和高饱和电子漂流率（2.2*107cm/s）的材料，意味着其所能承载的电流密度更高，因此能够在同尺寸的晶体管中产生更高的射频频率；氮化镓的热导率为砷化镓的4倍左右，且具备高热稳定性等优势。

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