4英寸碳化硅基氮化镓外延片

HMT公司生长供应4英寸碳化硅基氮化镓外延片，GaN-on-SiC结合了碳化硅优异的导热性和GaN高功率密度、低损耗能力，衬底上的器件可在高电压和高漏极电流下运行，结温将随RF功率缓慢升高，RF性能更好，目前多数GaN射频器件的衬底都是碳化硅。受限于SiC衬底，目前我司供应主流尺寸为4英寸与6英寸，GaN-on-SiC外延片主要用于制造微波射频器件。

碳化硅基GaN外延片结构
  

氮化镓作为第三代半导体材料，具有耐高温、兼容性高、热导率高、宽带隙等优势，在我国应用较为成熟。按照衬底材料不同，氮化镓外延片又可分为氮化镓基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓以及硅基氮化镓四类。氮化镓外延片主要用于制造电子元件，如晶体管、集成电路、光电子器件等。它可以提高电子元件的性能，提高元件的可靠性，并延长元件的使用寿命。

几种主流衬底制备外延片的应用优势