AlGaN/GaN碳化硅基氮化镓外延片

苏州恒迈瑞公司作为碳化硅基氮化镓外延片生产厂家，提供4英寸及6英寸GaN-on-SiC外延晶片，采用高品质4H-SI半绝缘碳化硅衬底，GaN-on-SiC结合了碳化硅优异的导热性和GaN高功率密度、低损耗能力，衬底上的器件可在高电压和高漏极电流下运行，结温将随RF功率缓慢升高，RF性能更好，目前多数GaN射频器件的衬底都是碳化硅。GaN on SiC外延，SiC衬底散热性更好，而且与GaN晶格不匹配问题比Si小，目前限制在于SiC衬底晶圆的尺寸，主流仍旧为6英寸。

碳化硅衬底可分为导电型和半绝缘型。半绝缘型具有较高的电阻率（电阻率≥105Ω·cm），主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。

碳化硅基GaN外延片部分结构参数


碳化硅基氮化镓射频器件同时具备了碳化硅的高导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，突破了砷化镓和硅基 LDMOS 器件的固有缺陷，能够满足 5G 通讯对高频性能和高功率处理能力的要求。碳化硅基氮化镓射频器件已逐步成为 5G 功率放大器尤其宏基站功率放大器的主流技术路线。