硅基HEMT氮化镓外延片E-Mode增强型

Homray Material Technology是一家集硅基GaN外延、碳化硅基GaN外延、蓝宝石基GaN外延片生产厂家，可根据客户要求进行HEMT氮化镓外延片定制结构及参数，目前提供4至8英寸硅基氮化镓外延片E-Mode增强型，4至6英寸碳化硅基氮化镓外延片及4英寸蓝宝石基氮化镓外延片。我司生长的GaN-on-Si硅基氮化镓外延片可应用于功率电子器件HEMT及射频HEMT，电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。

E-mode硅基氮化镓外延片结构参数
 

从理论上来讲，GaN同质衬底是生长GaN外延层最好的衬底，这样就不存在品格失配热失配问题，生长出来的外延膜质量将大大提高，位错密度也可降到很低，发光效率提高，提高器件工作电流密度。但由于GaN在常压下无法熔化,高温下分解为Ga和N₂,在其熔点(2300℃)时的分解压高达6GPa，当前的生长装备很难在GaN熔点时承受如此高的压力,因此传统熔体法无法用于GaN单晶的生长。相对于常规半导体材料,GaN单晶的生长进展缓慢,晶体尺寸小且成本高,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成。

不同工艺GaN器件性能对比